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关于

核心技术

    湖南静芯微电子技术有限公司是一家专业提供全芯片片上集成高性能ESD/TVS设计服务和ESD/TVS/MOS等分立器件产品的集成电路设计公司。公司拥有独立的自主知识产权,是国内第一个开发成功芯片级TVS器件等抗静电保护器件的公司。

    公司积累了一系列知识产权成果,申请国家知识产权35项,其中,获得发明专利2项、实用新型专利8项、集成电路布图登记13项;进入实审发明专利10项。累计测试结构达2000余个,并在多个关键技术取得突破,特别是在国内首次开发成功在人体模型(HBM)下抗静电强度高于30KV关键技术和器件(2014年获得湖南省科技进步奖)。完成过国家“十二五”重大专项、国家自然科学基金、国家863等国家省市级项目片上ESD防护设计。

发明专利证书
  • 一种双向瞬态电压抑制器件

  • 一种由反偏二极管触发的双向可控硅器件

  • 提高失效电压的双向假栅深阱静电保护器件及其制作方法

  • 一种双栅栅控可控硅整流器静电释放器件及其制作方法

布图登记证书
  • 低电压高功率音频功放芯片电路

  • 电流输入单运算放大器电路

  • 分段式高压双向可控硅静电保护器件

  • 一种12V高压大过流场效应晶体管

  • 一种25V高压工艺多单元八边形LDNMOS静电防护器件

  • 一种N+ZP齐纳二极管构成的双向静电防护器件

  • 一种高压非对称双向可控硅器件

  • 一种工业应用具有过温保护功能的电流源电路

  • 一种基于HDMI接口的TVS阵列器件版图设计

  • 一种双向低触发电压±5V电源轨线静电防护器件

  • 一种用于USB3.0的低电容多路TVS阵列

  • 一种用于芯片高速信号引脚的多路可控制硅TVS器件

  • 一种由多叉指NMOS和二级管阵列构成的单向低电容TVS器件

  • 一种高压PN交错型保护环分段非对称双向可控硅静电防护器件

  • 一种交错型低触发高维持电压静电防护可控硅器件

  • 一种内嵌二极管的高压单向可控硅静电保护器件

  • 一种段状P+保护环高维持电压分段发射极非对称双向可控硅器件

实用新型专利证书
  • 低触发可调控维持电压双向静电释放器件

  • 低电容低钳位电压的SCR瞬态电压抑制器

  • 一种低触发高维持可控硅静电防护器件

  • 一种高维持电压NPNPN型双向可控硅静电防护器件

  • 一种高维持电压的低触发双向可控硅静电防护器件

  • 一种高维持电压可控硅硅静电防护器件

  • 一种嵌入无沟道型LDPMOS的双向可控硅静电防护器件

  • 一种栅极嵌入小岛式可控硅静电防护器件

  • 一种双向可控硅静电防护器件