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静电器件设计概况

基于CDMOS工艺,开展了SCR、MOS结构的高性能ESD防护器件设计以及单片集成瞬变电压抑制TVS器件的研究,特别针对高压MOS、高压SCR及其变形、超高压ESD防护级别器件进行研发。



湖南静芯微电子技术有限公司

SuperESD Microelectronics Technology CO.,LTD.

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