• 可控硅SCR(Silicon Controlled Rectifier)结构静电防护器件由于其自身的正反馈机制,具有单位面积泄放电流高、导通电阻小、鲁棒性强、防护级别高的优点,但同时它还引入了触发电压高响应速度慢、维持电压低易闩锁的缺点。本文介绍可控硅结构静电防护器件低触发电压提高开启速度的方法

  • 本文从版图、器件结构、触发技术等角度介绍一些改善多叉指MOSFET静电防护器件电流泄放均匀性提升器件静电防护鲁棒性的技巧。
  • 长沙“3635”人才引进计划即长沙市引进紧缺急需和战略型人才计划,于2014年2月19日正式出台,这是长沙市继“313计划”后引进高层次人才的重要政策,是其打造人才洼地、落实“人才支撑”战略的重要措施。

  • 商用芯片静电可靠性的基本要求是HBM 2kV,在集成电路外围I/O PAD放置静电放电保护电路是IC最常用一种静电保护方式。那么,一个优良ESD保护电路的设计原则和衡量指标是什么呢?
  • 物联网组网将使得数据通信量骤增,而室外组网的高严苛和高噪声环境对数据传输的可靠性提出了更高的要求。因静电而造成的瞬态过压将影响数据传输的正确性,甚至损坏总线数据收发芯片。本文以RS485总线接口芯片为例,讲述内置TVS器件保护总线接口芯片方法。


  • 根据《湖南省科技发展计划专项资金管理办法》(湘财教[2015]7号)和《湖南省省级财政专项资金公开办法(试行)》(湘财预[2015]167号)的相关要求,现对2016年度省科技计划第四批项目(省重点研发计划、重点实验室、工程技术研究中心)立项及补助资金予以公示。
  • 电子产品的静电失效来源于生产、装配、封装、运输、组装和测试各个环节。为了模拟电子产品在不同环境中的不同放电方式,以期完整地评估电子产品对静电放电的敏感度,国内外各大组织机构已构建了相应的静电放电模式和测试标准。

  • 据统计,静电放电Electro-Static Discharge, ESD造成的芯片失效占到集成电路产品失效总数的38%完好的全芯片ESD防护设计,一方面取决于满足ESD设计窗口要求的优质ESD器件结构,另一方面全芯片ESD防护网络的考量也格外重要。

  • TVS二极管在线路板上与被保护线路并联,当瞬时电压超过电路正常工作电压后,TVS二极管便发生雪崩,提供给瞬时电流一个超低电阻通路,其结果是瞬时电流通过二极管被引开,避开被保护器件,并且在电压恢复正常值之前使被保护回路一直保持截止电压。

  • TVS(Transient Voltage Suppressor)二极管,又称为瞬态抑制二极管,是普遍使用的一种新型高效电路保护器件,它具有极快的响应时间(亚纳秒级)和相当高的浪涌吸收能力。当它的两端经受瞬间的高能量冲击时,TVS能以极高的速度把两端间的阻抗值由高阻抗变为低阻抗,以吸收一个瞬间大电流,从而把它的两端电压箝制在一个预定的数值上,从而保护后面的电路元件不受瞬态高压尖峰脉冲的冲击。

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SuperESD Microelectronics Technology CO.,LTD.

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